8月12日，全世界晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已经决议于未来两年内慢慢退出6英寸晶圆制造营业，并连续整并8英寸晶圆产能。此举对于第三代半导体的碳化硅及氮化镓孕育发生了差异水平的影响。
台积电 于声明中指出，此项决议不会影响公司先前宣布的财政目标，即2025年美元营收将增加约30%的预期。统一天，台积电董事会也批准了跨越206亿美元的资本预算，用在建置进步前辈和成熟制程产能、厂房兴修和厂务举措措施工程等，显示其连续投资高阶技术，并对于成熟制程举行战略调整的刻意。
营业聚焦Ｎ滤出6英寸，整并8英寸于官方通知布告前，市场已经流传相干风声，有传说风闻称台积电将关闭于中国台湾的末了一座6英寸晶圆厂，并通知相干电源IC设计公司，此举终极获得了官方证明。
果真资料显示，台积电的这座6英寸晶圆厂月产能约8.3万片，营收占比不到0.5%，其战略主要性已经显著降低。该厂重要接纳0.45μm和以上 的成熟制程，生产传感器、模仿电路及基础功率器件等产物，广泛运用在物联网、消费电子及工业节制等领域。只管这些产物于传统且对于成本敏感的市场中仍有稳定需求，但其增加潜力已经远不如进步前辈制程。
台积电的这一战略调整对于业界孕育发生了多方面的影响。起首，对于在依靠其6英寸产能的客户而言，定单转移成为首要挑战。台积电已经提供了多种解决方案：部门定单可能转移至其12英寸产线以使用规模化上风，而另外一部门则可能交由其子公司世界进步前辈接办，该公司作为成熟制程领域的专家，能确�？突Ч┯Φ钠轿裙伞�
其次，此举是台积电优化产能、结构未来的一项主要举措。退出6英寸制造营业后，其闲置的厂区土地及厂房有望被重新使用。有分析认为，台积电极可能会将该厂址革新为 进步前辈封装厂，以撑持其于CoWoS及SoIC等技术领域的扩张。这将有助在台积电满意日趋增加的AI芯片对于异质整合（Heterogeneous Integration）的巨年夜需求。
这次调整暗地里有多重因素。一方面，6英寸晶圆制造营业的市场需求逐渐萎缩，而整合8英寸产能可以或许显著晋升生产效率。另外一方面，台积电正于将资源向高利润领域歪斜，例如高性能盘算及AI芯片的进步前辈制程与封装营业。值患上留意的是，这与此前台积电计划退出氮化镓（GaN）营业的决议计划一脉相承，其缘故原由都包罗营业优先级重构、市场竞争恶化以和供应链�：Φ纫蛩�。
氮化镓（GaN）：战略性退出与产能腾挪台积电退出6英寸制造营业，与此前其于氮化镓营业上的行动慎密联系关系。市场消息显示，台积电已经计划于未来两年住手其晶圆五厂的GaN生产，并将其革新为进步前辈封装产线。
这一决议计划暗地里有多重因素考量：台积电的GaN营业重要于6英寸晶圆上进行，营收孝敬低，其战略优先级被年夜幅下调。相较在利润丰盛的进步前辈制程及求过于供的进步前辈封装营业，GaN的战略主要性显著降低。
此外，此举也为台积电的GaN客户提供了平稳的过渡方案。作为台积电GaN营业的重要客户，纳微半导体（Navitas）已经有备无患，与力积电（PSMC）建设了战略相助瓜葛，确保8英寸硅基氮化镓技术的生产。这为台积电的退出提供了平稳的外部解决方案，也使力积电成为该市场的重要受益者。
最要害的是，退出GaN营业使患上台积电可以或许将原晶圆五厂的厂房及无尘室直接转用在进步前辈封装。于AI芯片需求发作确当下，台积电的CoWoS产能连续求过于供。经由历程快速将低效能产线转为高价值的进步前辈封装产线，台积电可以或许迅速扩充产能，牢固其于AI芯片代工市场的绝对于上风。
碳化硅（SiC）：多维度结构与强化相助台积电今朝于碳化硅领域已经有一定的技术贮备及工业结构。公司董事长刘德音曾经吐露，台积电已经经开发了多种与碳化硅相干的高压产物。
虽然台积电并未直接运营年夜规模的SiC产线，但它经由历程多元化的工业结构，强化了自身于这一领域的竞争力。起首，台积电于SiC领域的技术研发与工艺摸索方面取患了显著进展，并正于摸索将成熟工艺节点的产能进级为特殊工艺。此外，台积电经由历程其子公司世界进步前辈（VIS）间接强化了SiC结构。
2024年，世界进步前辈 与汉磊科技 宣布计划结合设置装备部署一座8英寸晶圆厂，专门用在SiC芯片的生产。这类相助模式将汉磊科技于SiC领域的技术堆集与台积电于半导体系体例造方面的领先技术及产能治理能力相联合，实现了上风互补，配合加速8英寸SiC技术的开发及量产。
值患上留意的是，台积电与世界进步前辈的SiC项目直接定位在8英寸晶圆，而非更传统的6英寸。这注解台积电看到了8英寸SiC晶圆于未来电动汽车、工业电源等高增加市场的巨年夜潜力，并选择以更进步前辈、更具规模效益的技术平台切入，而非停留于6英寸的存量市场竞争。
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