近日，北方华创正式宣布全新一代12英寸高端电感耦合等离子体（ICP）刻蚀装备——NMC612H。
该装备聚焦进步前辈逻辑与进步前辈存储领域要害刻蚀工艺需求，针对于超高明宽比、超高匀称性、切确描摹节制等挑战，攻克了全新一代精准偏压节制、射频多态脉冲节制、超高速通信收集节制等多项技术难题，搭配天下产超百区自力控温静电卡盘和具有彻底自立知识产权的温控算法，将ICP小尺寸刻蚀的深宽比晋升到数百比一，匀称性带入埃米级时代，标志着北方华创连续引领高端ICP刻蚀装备领域的生长标的目的，突破性技术上风可满意更进步前辈节点的芯片制造要求，联袂芯片制造商配合迎接AI时代的机缘与挑战。
北方华创精研更进步前辈节点刻蚀工艺的难点、痛点，打造出全新一代高端ICP刻蚀产物612H，该产物具有如下四年夜上风：
1.全新一代精准偏压节制（Pulsed DC Voltage，PDV）：实现电子伏特量级、窄能量漫衍的离子入射能量及离子标的目的的切确节制，满意更小线宽、更高明宽比结构的超高精度刻蚀需求。
2.量产级超百区邃密控温静电卡盘：经由历程具有彻底自立知识产权和天下产供应链的超百区自力控温静电卡盘，实现优在0.3°C的温度匀称性节制。
3.射频多态脉冲（MLP）和快速匹配算法成套解决方案：匹配时间由秒级降低至毫秒级，具有同步脉冲、异步脉冲以和三频同启等多种RF模式，实现对于单步工艺配方等离子体身分及能量的切确调控。
4.原位原子层沉积（ALD）�？�：具有同腔室内肆意交替利用ALD沉积及刻蚀工艺能力，突破了传统刻蚀装备的功效局限，付与产物更多更广的运用场景。
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