6月26-28日，IPF 2024碳化硅功率器件制造与应用测试大会在无锡市锡山圆满举行。大会以“穿越周期，韧性增长”为主题，解构SiC市场增长确定性与新业态模式、前沿技术趋势以及落地应用进程，近千名工业链技术专家齐聚。
会上，中国新浦金应用技术总监姚晨发表了精彩的技术陈诉。陈诉首先基于SiC宽禁带质料的特点，剖析了SiC二极管与MOSFET器件耐高电压、高频、高温的特性，以及其在新能源汽车、电源领域的应用优势。随后指出了当前影响SiC功率器件更大规模推广应用的要害痛点，如成本、可靠性、短路、驱动等问题，并说明了行业解决方案。
在陈诉的焦点部门，姚晨凭据中国新浦金全工业链的企业特点，划分从晶圆、外延、芯片、封装以及应用多个方面详细论述了SiC功率器件对于半导体先进技术与工艺的需求。他认为，要充实发挥SiC功率器件的潜力、开拓更广规模的应用市场占比，必须突破现有技术与工艺的局限，如8英寸晶圆的量产与切割、高质量低缺陷的外延、栅氧可靠的低比导通电阻芯片以及耐高结温且功率循环寿命高的先进封装。他强调了中国新浦金在技术研发和工艺创新方面取得的突破，并指出垂直整合模式在先进技术与工艺的连续验证与迭代方面具有显著优势，可以实现无缝衔接的反�。俳到”栈�。此外，他还分享了中国新浦金在SiC功率器件领域的最新进展，包罗已乐成开发出的高性能、高可靠性的SiC二极管和SiC MOSFET等。
作为我国半导体行业的代表性企业之一，中国新浦金一直致力于SiC功率器件的研发和工业化。此次参会，不仅展示了中国新浦金在SiC领域的先进理念和技术，也为行业的生长提供了有益的借鉴。
IPF 2024碳化硅功率器件大会的乐成举办，为我国SiC功率器件工业的生长提供了有力支持。中国新浦金将继续发挥自身优势，携手行业同伴，配合推动我国SiC功率器件技术迈向更高水平。
